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标题

1MeV 电子辐照GaAs/Ge太阳电池 变温光致发光研究

作者

郑 勇 肖鹏飞 易天成 王 荣

机构

北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室;北京师范大学核科学与技术学院;北京市辐射中心

摘要

对1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照 电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太 阳电池的非辐射复合中心分别为H2(EV +0.41eV)和H3(EV +0.71eV).

关键词

GaAs/Ge太阳电池;电子辐照;光致发光;非辐射复合中心

引用

郑 勇, 肖鹏飞, 易天成, 王 荣.1MeV 电子辐照GaAs/Ge太阳电池 变温光致发光研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版),2015,51(6):568-570.

基金

国家自然科学基金资助项目(10675023,11075018,11375028),高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120003110011)

分类号

TM914

DOI

10.16360/j.cnki.jbnuns.2015.06.005

Title

Temperature dependent photoluminescence of the GaAs/Ge space solar cell after irradiation by 1 MeV electrons

Author

ZHENG Yong, XIAO Pengfei, YI Tiancheng, WANG Rong

Affiliations

(1)Key Laboratory of Beam Technology and Materials Modification of Ministry of Education; College of Nuclear Science and Technology ,Beijing Normal University; Beijing Radiation Center

Abstract

Temperature-dependent photoluminescence was measured to investigate non-radiative recombination centers for GaAs/Ge space solar cells after irradiation by 1 MeV electrons at temperatures from 10 to 290 K. The photoluminescence-peak position moved leftwards and the photoluminescence intensity decreased with increasing temperatures. Two non-radiative recombination centers, H2(EV +0.41eV) and H3 (EV +0.71eV), were determined from Arrhenius plots of the temperature dependent photoluminescence intensity.

Key words

GaAs/Ge solar cell; electron irradiation; photoluminescence; non-radiative recombination center

cite

ZHENG Yong, XIAO Pengfei, YI Tiancheng, WANG Rong. Temperature dependent photoluminescence of the GaAs/Ge space solar cell after irradiation by 1 MeV electrons[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2015,51(6):568-570.

DOI

10.16360/j.cnki.jbnuns.2015.06.005

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